Elshocht, S. Van: шукати на сайті Z-Library

Dekkers, H.F.W., Gallo, A., Van Elshocht, S.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 488 KB

english, 2014

Infrared molar absorption coefficient of H2O stretching modes in SiO2

Журнал:

The Journal of Physical Chemistry C

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 622 KB

english, 2013

Mechanisms for the Trimethylaluminum Reaction in Aluminum Oxide Atomic Layer Deposition on Sulfur Passivated Germanium

Delabie, Annelies, Sioncke, Sonja, Rip, Jens, Van Elshocht, Sven, Caymax, Matty, Pourtois, Geoffrey, Pierloot, Kristine

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.57 MB

english, 2011

[IEEE 2007 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology - Austin, TX, USA (2007.05.30-2007.06.1)] 2007 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology - Nitrogen Profile and Dielectric Cap Layer (Al2O3, Dy2O3, La2O3) Engineering on Hf-Silicate

Cho, H. -J., Yu, H. Y., Ragnarsson, L.-A., Chang, V. S., Schram, T., O'Sullivan, B. J., Kubicek, S., Mitsuhashi, R., Akheyar, A., Van Elshocht, S., Witters, T., Delabie, A., Adelmann, C., Rohr, E., Si

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 707 KB

english, 2007

[IEEE 2012 4th IEEE International Memory Workshop (IMW) - Milan, Italy (2012.05.20-2012.05.23)] 2012 4th IEEE International Memory Workshop - Understanding of Trap-Assisted Tunneling Current - Assisted by Oxygen Vacancies in RuOx/SrTiO3/TiN MIM Capacitor for the DRAM Application

Kim, M.-S., Kaczer, B., Starschich, S., Popovici, M., Swerts, J., Richard, O., Tomida, K., Vrancken, C., Van Elshocht, S., Debusschere, I., Altimime, L., Kittl, J. A.

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 706 KB

english, 2012

The Impact of Stacked Cap Layers on Effective Work Function With HfSiON and SiON Gate Dielectrics

Cho, Hag-Ju, Yu, Hong Yu, Chang, Vincent S., Akheyar, Amal, Jakschik, Stefan, Conard, Thierry, Hantschel, Thomas, Delabie, Annelies, Adelmann, Christoph, Van Elshocht, Sven, Ragnarsson, Lars-Åke, Schr

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 345 KB

english, 2008

Metal gate work function tuning by Al incorporation in TiN

Lima, L. P. B., Dekkers, H. F. W., Lisoni, J. G., Diniz, J. A., Van Elshocht, S., De Gendt, S.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 983 KB

english, 2014

Impact of thermal treatment upon morphology and crystallinity of strontium titanate films deposited by atomic layer deposition

Popovici, Mihaela, Van Elshocht, Sven, Menou, Nicolas, Favia, Paola, Bender, Hugo, Rosseel, Erik, Swerts, Johan, Adelmann, Christoph, Vrancken, Christa, Moussa, Alain, Tielens, Hilde, Tomida, Kazuyuki

Журнал:

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 922 KB

english, 2011

Phase Formation and Morphology of Nickel Silicide Thin Films Synthesized by Catalyzed Chemical Vapor Reaction of Nickel with Silane

Peter, Antony Premkumar, Meersschaut, Johan, Richard, Olivier, Moussa, Alain, Steenbergen, Johnny, Schaekers, Marc, Tőkei, Zsolt, Van Elshocht, Sven, Adelmann, Christoph

Журнал:

Chemistry of Materials

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.15 MB

english, 2015

Ozone Based Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide and Impact of Nitrogen Oxide Species

Delabie, Annelies, Swerts, Johan, Elshocht, Sven Van, Jung, Sung-Hoon, Raisanen, Petri I., Givens, Michael E., Shero, Eric J., Peeters, Jozef, Machkaoutsan, Vladimir, Maes, Jan Willem

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2011

Scaling to Sub-1 nm Equivalent Oxide Thickness with Hafnium Oxide Deposited by Atomic Layer Deposition

Delabie, Annelies, Caymax, Matty, Brijs, Bert, Brunco, David P., Conard, Thierry, Sleeckx, Erik, Van Elshocht, Sven, Ragnarsson, Lars-Åke, De Gendt, Stefan, Heyns, Marc M.

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 625 KB

english, 2006

Study of the Surface Reactions in ALD Hafnium Aluminates

Nyns, L., Delabie, A., Pourtois, G., Van Elshocht, S., Vinckier, C., De Gendt, S.

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 273 KB

english, 2010

Growth and Material Characterization of Hafnium Titanates Deposited by Atomic Layer Deposition

Popovici, Mihaela, Delabie, Annelies, Van Elshocht, Sven, Clima, Sergiu, Pourtois, Geoffrey, Nyns, Laura, Tomida, Kazuyuki, Menou, Nicolas, Opsomer, Karl, Swerts, Johan, Detavernier, Christophe, Woute

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 351 KB

english, 2009

Characterization of Porous Structures in Advanced Low- k Films with Thin TaN Layers Using Monoenergetic Positron Beams

Uedono, Akira, Verdonck, Patrick, Delabie, Annelies, Swerts, Johan, Witters, Thomas, Conard, Thierry, Baklanov, Mikhail R., Elshocht, Sven Van, Oshima, Nagayasu, Suzuki, Ryoichi

Журнал:

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 90 KB

english, 2013

[IEEE 2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC) - San Jose, CA, USA (2016.5.23-2016.5.26)] 2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC) - CVD-Mn/CVD-Ru-based barrier/liner solution for advanced BEOL Cu/Low-k interconnects

Jourdan, N., van der Veen, M.H., Vega Gonzalez, V., Croes, K., Lesniewska, A., Varela Pedreira, O., Van Elshocht, S., Bommels, J., Tokei, Zs.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 778 KB

english, 2016

Thickness dependence of the resistivity of platinum-group metal thin films

Dutta, Shibesh, Sankaran, Kiroubanand, Moors, Kristof, Pourtois, Geoffrey, Van Elshocht, Sven, Bömmels, Jürgen, Vandervorst, Wilfried, Tőkei, Zsolt, Adelmann, Christoph

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.08 MB

english, 2017

Microwave Characterization of Ba-substituted PZT and ZnO Thin Films

Tierno, Davide, Dekkers, Matthijn, Wittendorp, Paul, Sun, Xiao, Bayer, Samuel C., King, Seth T., Van Elshocht, Sven, Heyns, Marc, Radu, Iuliana P., Adelmann, Christoph

Журнал:

IEEE Transactions on Ultrasonics Ferroelectrics and Frequency Control

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2018

High-k Materials for Advanced Gate Stack Dielectrics: a Comparison of ALCVD and MOCVD as Deposition Technologies

Caymax, Matty, Bender, H., Brijs, B., Conard, T., DeGendt, S., Delabie, A., Heyns, M., Onsia, B., Ragnarsson, L., Richard, O., Vandervorst, W., Elshocht, S. Van, Zhao, C., Maes, J.W., Daté, L., Pique,

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.63 MB

english, 2003

[IEEE 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2018.12.1-2018.12.5)] 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - High-performance ($\text{EOT} < 0.4\text{nm}$, Jg∼10 −7 A/cm 2 ) ALD-deposited Ru\SrTiO3 stack for next generations DRAM pillar capacitor

Popovici, M., Belmonte, A., Oh, H., Potoms, G., Meersschaut, J., Richard, O., Hody, H., Van Elshocht, S., Delhougne, R., Goux, L., Kar, G. Sankar

Рік:

2018

Файл:

PDF, 5 KB

2018

Growth of Dysprosium-, Scandium-, and Hafnium-based Third Generation High-κ Dielectrics by Atomic Vapor Deposition

C. Adelmann, P. Lehnen, S. Van Elshocht, C. Zhao, B. Brijs, A. Franquet, T. Conard, M. Roeckerath, J. Schubert, O. Boissière, C. Lohe, S. De Gendt

Журнал:

Chemical Vapor Deposition

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 409 KB

english, 2007

Sr excess accommodation in ALD grown SrTiO3 and its impact on the dielectric response

S. Clima, G. Pourtois, N. Menou, M. Popovici, A. Rothschild, B. Kaczer, S. Van Elshocht, X.P. Wang, J. Swerts, D. Pierreux, S. De Gendt, D.J. Wouters, J.A. Kittl

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 507 KB

english, 2009

Band alignment of Hf–Zr oxides on Al2O3/GeO2/Ge stacks

S. Fadida, M. Eizenberg, L. Nyns, S. Van Elshocht, M. Caymax

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 637 KB

english, 2011

HfO2 as gate dielectric on Ge: Interfaces and deposition techniques

M. Caymax, S. Van Elshocht, M. Houssa, A. Delabie, T. Conard, M. Meuris, M.M. Heyns, A. Dimoulas, S. Spiga, M. Fanciulli, J.W. Seo, L.V. Goncharova

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 870 KB

english, 2006

Strontium niobate high-k dielectrics: Film deposition and material properties

A. Hardy, S. Van Elshocht, C. Adelmann, J.A. Kittl, S. De Gendt, M. Heyns, J. D’Haen, M. D’Olieslaeger, M.K. Van Bael, H. Van den Rul, J. Mullens

Журнал:

Acta Materialia

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.44 MB

english, 2010

Nitrogen analysis in high-k stack layers: a challenge

T. Conard, W. Vandervorst, H. De Witte, S. Van Elshocht

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2004

Study of interfacial reactions and phase stabilization of mixed Sc, Dy, Hf high-k oxides by attenuated total reflectance infrared spectroscopy

A. Hardy, C. Adelmann, S. Van Elshocht, H. Van den Rul, M.K. Van Bael, S. De Gendt, M. D’Olieslaeger, M. Heyns, J.A. Kittl, J. Mullens

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 373 KB

english, 2009

Interfacial reactions of Gd- and Nb-oxide based high-k layers deposited by aqueous chemical solution deposition

D. Dewulf, N. Peys, S. Van Elshocht, G. Rampelberg, C. Detavernier, S. De Gendt, A. Hardy, M.K. Van Bael

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 374 KB

english, 2011

Improved EOT and leakage current for metal–insulator–metal capacitor stacks with rutile TiO2

Mihaela Popovici, Min-Soo Kim, Kazuyuki Tomida, Johan Swerts, Hilde Tielens, Alain Moussa, Olivier Richard, Hugo Bender, Alexis Franquet, Thierry Conard, Laith Altimime, Sven Van Elshocht, Jorge A. Ki

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 593 KB

english, 2011

Atomic-layer-deposited tantalum silicate as a gate dielectric for III–V MOS devices

C. Adelmann, D. Lin, L. Nyns, B. Schepers, A. Delabie, S. Van Elshocht, M. Caymax

Журнал:

Sensors and Actuators B: Chemical

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 339 KB

english, 2011

Room-temperature CO2 sensing using metal–insulator–semiconductor capacitors comprising atomic-layer-deposited La2O3 thin films

K.B. Jinesh, V.A.T. Dam, J. Swerts, C. de Nooijer, S. van Elshocht, S.H. Brongersma, M. Crego-Calama

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 652 KB

english, 2011

Achieving low-VT Ni-FUSI CMOS via lanthanide incorporation in the gate stack

A. Veloso, H.Y. Yu, A. Lauwers, S.Z. Chang, C. Adelmann, B. Onsia, M. Demand, S. Brus, C. Vrancken, R. Singanamalla, P. Lehnen, J. Kittl, T. Kauerauf, R. Vos, B.J. O′Sullivan, S. Van Elshocht, R. Mits

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1001 KB

english, 2008

Advanced PBTI reliability with 0.69 nm EOT GdHfO gate dielectric

Moonju Cho, Marc Aoulaiche, Robin Degraeve, Ben Kaczer, Thomas Kauerauf, Lars-Åke Ragnarsson, Christoph Adelmann, Sven Van Elshocht, Thomas Y. Hoffmann, Guido Groeseneken

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 389 KB

english, 2011

Aqueous solution–gel preparation of ultrathin ZrO2 films for gate dielectric application

A. Hardy, S. Van Elshocht, C. Adelmann, T. Conard, A. Franquet, O. Douhéret, I. Haeldermans, J. D'Haen, S. De Gendt, M. Caymax, M. Heyns, M. D'Olieslaeger, M.K. Van Bael, J. Mullens

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.50 MB

english, 2008

Benefits and side effects of high temperature anneal used to reduce threading dislocation defects in epitaxial Ge layers on Si substrates

V. Terzieva, L. Souriau, M. Caymax, D.P. Brunco, A. Moussa, S. Van Elshocht, R. Loo, F. Clemente, A. Satta, Marc Meuris

Журнал:

Martti Kauranen, Thierry Verbiest, Sven van Elshocht, André Persoons

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 589 KB

english, 2008

Chirality in surface nonlinear optics

Журнал:

Optical Materials

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 824 KB

english, 1998

Interface control of high-k gate dielectrics on Ge

M. Caymax, M. Houssa, G. Pourtois, F. Bellenger, K. Martens, A. Delabie, S. Van Elshocht

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 686 KB

english, 2008

45nm LSTP FET with FUSI Gate on PVD-HfO2 with excellent drivability by advanced PDA treatment

R. Mitsuhashi, K. Yamamoto, S. Hayashi, A. Rothschild, S. Kubicek, A. Veloso, S. Van Elshocht, M. Jurczak, S. De Gendt, S. Biesemans, M. Niwa

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 428 KB

english, 2005

Study of CVD high-k gate oxides on high-mobility Ge and Ge/Si substrates

S. Van Elshocht, M. Caymax, T. Conard, S. De Gendt, I. Hoflijk, M. Houssa, F. Leys, R. Bonzom, B. De Jaeger, J. Van Steenbergen, W. Vandervorst, M. Heyns, M. Meuris

Журнал: